华虹半导体申请半导体器件的制备方法专利，避免高压 MOS 器件较薄栅极多晶硅被误损伤lg...

金融界 2025 年 5 月 1 日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司、华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号 CN119893993A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件的制备方法，首先在高压 MOS 器件区的衬底上形成第一栅氧化层，然后去除低压 MOS 器件区的第一栅氧化层并重新淀积第二栅氧化层，接着在低压 MOS 器件区、高压 MOS 器件区上形成多晶硅材料层，最后采用打开低压 MOS 器件区的第一栅氧化层的光罩，回刻低压 MOS 器件区的一定厚度的多晶硅材料层。本申请只需淀积一次多晶硅材料层，无需新光罩，直接采用回刻第一栅氧化层的光罩，便可以回刻低压 MOS 器件区的一定厚度的多晶硅材料层，以形成低压栅极，从而在高压 MOS 器件区和低压 MOS 器件区形成不同厚度的多晶硅材料层，避免了高压 MOS 器件较薄的栅极多晶硅被后续的 LDD 离子注入工艺误损伤的情况。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2910次，专利信息1619条，此外企业还拥有行政许可117个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目856次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目358次，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可225个。